（原标题：2nm争霸战宏牛操盘，已打响）
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来源：内容来自经济日报。
南韩媒体报导，台积电和三星电子都将在今年下半年生产业界最先进的2纳米制程芯片，两大半导体厂的抢单大战预料将更加激烈，但三星的良率低于台积电，成为吸引订单的挑战。
韩国前锋报报导，南韩产业人士指出，台积电已开始收到2纳米制程订单，预料下半年将在新竹宝山和高雄厂生产。这是台积电首度采用环绕式闸极( GAA )架构技术生产2纳米芯片，效能预料将提高10%至15%，能耗将减少25%至30%，电晶体密度也比目前的3纳米制程提高15%。
据了解，台积电2纳米主要客户主要延续3纳米相关客户，包括苹果、辉达、超微、高通、联发科等宏牛操盘，都可望是首批2纳米客户。其中，联发科执行长蔡力行已于5月台北国际电脑展预告，该公司将有2纳米制程芯片于今年9月设计定案，「大家可能猜得到是什么产品」。
三星的目标也是在下半年开始生产2纳米芯片，虽未明确表示会生产哪一款产品，一般预料是用于旗下新款旗舰机Galaxy S26的自家Exynos 2600处理器。
三星积极挥军2纳米之际，报导引述知情人士指出，台积电2纳米制程的良率已突破60%，跨越稳定量产的门槛。相较下，三星2纳米制程良率据传约为40%，远不及台积电。
三星虽是率先以GAA架构生产3纳米的芯片生产商，初期持续苦于低良率，该公司打算以先前采用GAA的经验，提升2纳米良率。三星的挑战在于吸引科技大厂订单，以维持公司先进制程竞争力，之前也延揽曾在台积电效力的韩美玲（Margaret Han），率领晶圆代工部门。
台积电2纳米，大跃进
全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）2纳米制程进展备受瞩目宏牛操盘，其缺陷密度（D0）表现已比肩5纳米家族，甚至超越同期7纳米与3纳米制程，成为技术成熟度最高的先进节点之一，为2025年下半年量产注入强心针。
台积电2纳米主要客户锁定苹果、辉达、AMD、高通、联发科及博通一线业者。 AMD新一代EPYC处理器Venice为业界首款完成投片并采用台积电2纳米制程，苹果iPhone 18系列机型预计采用2纳米处理器，辉达的Rubin平台2026年下半年仍以3纳米为主，2纳米导入较谨慎。英特尔亦积极布局2纳米，特别针对AI与高效能运算应用。
台积电董事长魏哲家日前强调，2纳米需求「前所未有」，远超3纳米。半导体业者透露，台积电2纳米制程首度采用环绕式栅极电晶体（GAAFET）架构的关键节点，取代沿用多年的FinFET技术；GAAFET透过立体堆叠的纳米片结构，使电晶体通道被栅极材料完全包覆，不仅提升电晶体密度与效能，更有效降低漏电流与功耗。
台积电在北美技术论坛首次公开2纳米（N2）缺陷密度趋势，尽管未揭露具体数据，但透过对比历代制程的缺陷率趋势图，台积电2纳米的D0，低于同期先进制程节点，
台积电2纳米制程已进入试产阶段，新竹宝山Fab 20厂（P1）于2024年第四季启动工程线验证，月产能约3,000片，预计2025年第四季量产，月产能将提升至3万片。高雄Fab 22厂亦于2024年第四季进机，预计2026年首季量产，月产能同样达3万片。
业界预估，台积电计画于2027年将新竹与高雄的2纳米总月产能扩增至12万～13万片，2025年底前可能达到5万片，若进展顺利，最高可达8万片。
台积电2纳米需求红不让，促使公司加速扩建新竹宝山4座厂及高雄楠梓3座厂，总投资额逾1.5兆元，打造全球最大半导体制造聚落。
此外，台积电在美国亚利桑那州的Fab 21厂区第三座（P3）将导入2纳米及A16（1.6纳米）制程，预计2028年量产，也将接棒将技术推升至2纳米制程。
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